Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
2

An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres

Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 338 KB
english, 2006
5

High-pressure and high-temperature annealing effects on CVD homoepitaxial diamond films

Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 339 KB
english, 2006
6

DESIGN OF THE BLOWING-TYPE BLC SYSTEM ON THE JAPANESE STOL SEAPLANE

Рік:
1968
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.22 MB
english, 1968
8

MOCVD methods for fabricating GaAs quantum wires and quantum dots

Рік:
1992
Мова:
english
Файл:
PDF, 333 KB
english, 1992
9

MOVPE growth of single-crystal hexagonal AlN on cubic diamond

Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 446 KB
english, 2009
10

RF High-Power Operation of AlGaN/GaN HEMTs Epitaxially Grown on Diamond

Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 357 KB
english, 2012
12

Thick diamond layers angled by polishing to reveal defect and impurity depth profiles

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 795 KB
english, 2008
13

Diamond-based RF power transistors: Fundamentals and applications

Рік:
2007
Мова:
english
Файл:
PDF, 480 KB
english, 2007
14

High mobility and high crystalline-quality chemical-vapor-deposition grown homoepitaxial diamond

Рік:
2003
Мова:
english
Файл:
PDF, 383 KB
english, 2003
16

Electronic and surface properties of H-terminated diamond surface affected by NO2 gas

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.01 MB
english, 2010
17

Gate interfacial layer in hydrogen-terminated diamond field-effect transistors

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 547 KB
english, 2008
18

Temperature dependent DC and RF performance of diamond MESFET

Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 637 KB
english, 2006
19

Origin of growth defects in CVD diamond epitaxial films

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 814 KB
english, 2008
20

High RF output power for H-terminated diamond FETs

Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 259 KB
english, 2006
22

Influence of epitaxy on the surface conduction of diamond film

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 979 KB
english, 2004
23

High-pressure and high-temperature annealing of diamond ion-implanted with various elements

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 301 KB
english, 2008
24

Diamond-based electronics for RF applications

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 552 KB
english, 2004
25

Microwave performance evaluation of diamond surface channel FETs

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 206 KB
english, 2004
26

Beryllium-doped single-crystal diamond grown by microwave plasma CVD

Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 438 KB
english, 2009
27

Aluminum nitride deep-ultraviolet light-emitting p–n junction diodes

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 879 KB
english, 2008
28

High-pressure and high-temperature annealing effects of boron-implanted diamond

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 392 KB
english, 2008
31

Increased electron mobility in n-type Si-doped AlN by reducing dislocation density

Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 504 KB
english, 2006
40

A Laplacian comparison theorem and function theoretic properties of a complete Riemannian manifold

Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 3.40 MB
english, 1982
43

Ricci curvature, geodesics and some geometric properties of Riemannian manifolds with boundary

Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.57 MB
english, 1983
46

Intentional Control of n-type Conduction for Si-doped AlN and AlxGa1—xN with High Al Content

Рік:
2002
Мова:
english
Файл:
PDF, 99 KB
english, 2002
47

Spontaneous Ridge Formation and Its Effect on Field Emission of Heavily Si-Doped AlN

Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 289 KB
english, 2001